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    產(chǎn)品詳細頁(yè)
    NeuroNexus 神經(jīng)電極

    NeuroNexus 神經(jīng)電極

    產(chǎn)品介紹

    1. 業(yè)界*的硅電極--標準電極

    記錄和刺激單個(gè)神經(jīng)元,多個(gè)神經(jīng)元和局部場(chǎng)電位。

    NeuroNexus的標準電極使用了先進(jìn)的硅微電子機械(MEMS)技術(shù),由密歇根大學(xué)制造完成。NeuroNexus提升了技術(shù),具有能生產(chǎn)更小,更靈活的設備,這些設備都非常的精確,具有高度可重復性、機械性、幾何學(xué)和電學(xué)的特性。終, NeuroNexus用戶(hù)可以在每次使用我們的電極時(shí)獲得*的記錄結果。

    NeuroNexus提供了多種用于單神經(jīng)元、多神經(jīng)元和局部場(chǎng)電位(LFP)的記錄和刺激的硅電極陣列。為了幫助研究人員定位大腦中不同的結構,標準電極開(kāi)發(fā)了大量的設計模板,每種設計具有不同的參數,包括:長(cháng)度(跨皮質(zhì)層),柄的數量(跨皮質(zhì)柱),電極位點(diǎn)面積(針對單個(gè)或多個(gè)神經(jīng)元),電極位點(diǎn)間距(針對特定區域)和位點(diǎn)布局。

    若您需要配置電極,可以在電極陣列設計中找到符合您需求的電極陣列,或直接與我們聯(lián)系。一旦你選擇了一個(gè)電極陣列的設計方案,并找到與之相匹配的連接器package,以便它可以與你的headstage連接。

     

    技術(shù)參數

    電極位點(diǎn)

    金屬材質(zhì)

    銥 (標準),
    鉑 (定制),
    金(定制)
    電極厚度15 μm or 50 μm
    (不同的設計)
    電極長(cháng)度2, 3, 4, 5, 6, 10,
    15 mm (不同的設計)
    通道數8, 16, 32, 64, 128, 256
    (不同的設計)

     

    2. 光遺傳電極-美國NeuroNexus電極

    產(chǎn)品介紹

    NeuroNexus擁有很多不同的產(chǎn)品來(lái)支持光遺傳學(xué)的研究。我們的光遺傳產(chǎn)品包括光電極、植入式光纖、光源系統及其配件。如果您是光遺傳學(xué)領(lǐng)域的新手,我們還為您提供多種不同的光遺傳學(xué)產(chǎn)品讓您順利開(kāi)始您的科學(xué)研究。

    任何標準電極陣列都可以升級為一個(gè)光電極,使得光刺激和神經(jīng)記錄同步進(jìn)行。將光纖(直徑105μm)放在電極柄的頂部,光纖的*位于電極記錄位點(diǎn)以上200μm(距離可根據要求定制)。

    NeuroNexus現在提供用于擴展光遺傳學(xué)應用的多光纖電極,其結構緊湊并且堅固。使用蝕刻光纖(65μm),每個(gè)電極(每個(gè)電極陣列柄一根光纖)可以連接多達8根光纖。由于光纖和NeuroNexus微電極陣列的物理限制,所以會(huì )有一些設計限制。多光纖光電僅適用于LP(無(wú)套管)package。

     

    規格:

    光纖熔融石英, 50 μm or 105μm 核心, 多模
    外徑62.5 μm (蝕刻), 125 μm, or 400 μm
    重量(連接器)< 0.5 g
    傳輸率> 75% (50 μm 核心> 到 105 μm 核心)
    數值孔徑0.22, 0.66
    持續性經(jīng)過(guò)40次連接后傳輸變化< 5%
    旋轉測試1次旋轉后變化< 2%
    連接強度掙脫力>300g(典型)

     

    3. 給藥電極_NeuroNexus藥物輸送電極

    藥物輸送+化學(xué)感應

    結合藥物輸送和電生理記錄。
    在E16-20mm-100-177電極陣列上可以放置藥物引導管將藥物輸送和電生理記錄結合起來(lái)。藥物引導管放置在微電極陣列側面,藥物從引導管的末端輸出。引導管接頭與標準HPLC適配器兼容,并與外部注射泵連接。通常情況下,使用基于壓力的送藥方式。
    與我們的眾多產(chǎn)品相同,給藥電極也可以定制。
    可以調整NeuroNexus電極以檢測神經(jīng)化學(xué)和電生理信號??梢酝ㄟ^(guò)分析由離子選擇膜涂覆的電極位點(diǎn)的在體循環(huán)伏安法來(lái)實(shí)現化學(xué)檢測。NeuroNexus不提供涂層,但可以提供描述涂層方法的設計建議和參考。



    規格:

    電極位點(diǎn)的金屬材質(zhì)
    電極整體厚度≈ 185 μm
    引導管*角度90°(標準)
    45°(定制)
    植入深度15-18 mm
    電極區域1.5 mm
    通道數16
    可用的packageD16,DM16

     

    4. 表面電極: ECoG

    柔軟的聚合物表面網(wǎng)格,具有高分辨率。


    表面陣列電極是使用聚合物MEMS技術(shù)制造的,能夠貼合大腦表面的超柔性電極。表面電極可用于記錄包括腦,脊髓,外周神經(jīng)和心臟等各種部位的生理信號(如EEG,ECoG,EMG和ECG)。(詳見(jiàn)我們的神經(jīng)心理學(xué)目錄。)這類(lèi)電極還可以和標準電極結合使用,實(shí)現表面和深部腦區的同時(shí)記錄。表面電極還可以與其他神經(jīng)連接。 
    NeuroNexus 提供多種電極設計,適用于從小鼠到非人靈長(cháng)類(lèi)動(dòng)物。

    規格:

    電極位點(diǎn)金屬材質(zhì)

    Platinum
    電極厚度15 μm
    電極長(cháng)度5, 6, 10, 20, 30 mm
    (varies by design)
    通道數16, 32, 64
    (varies by design)

     

    5. NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 

    3D記錄不同空間位置的神經(jīng)細胞。
    多功能配置、性能可靠。

    NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 是采用成熟的硅技術(shù)設計的新的三維電極,用于像靈長(cháng)類(lèi)這樣的大型動(dòng)物的急性和慢性實(shí)驗。

    Matrix Array™同時(shí)跨越皮質(zhì)層和皮質(zhì)柱,覆蓋大片區域,記錄大量的神經(jīng)信息。

    Matrix Array可以直接使用我們標準的2D硅電極組裝,每一片硅電極的間距和陣列形式都可以定制,可以靈活自如地設計出跨越任何解剖結構的3D電極。Matrix Array通過(guò)一個(gè)超柔的線(xiàn)纜連接到電極連接器上。

    每個(gè)電極都提供了配套的工具(包括測量工具,模擬裝配,螺絲等),協(xié)助您提高電極記錄的成功率。

    從左上角開(kāi)始順時(shí)針順序:?jiǎn)魏薓atrix Array™,雙核Matrix Array™,多核Matrix Array™電極與表面電極,單核Matrix Array™與表面電極

     

    NeuroNexus 3D電極_Matrix Array有高度靈活的配置。各種配置都可以擴展傳統的記錄區域,能夠與從腦表面到皮質(zhì)下結構的任何部分相互連接。單個(gè)電極組件,或為多個(gè)植入位置選擇雙核組件。使表面電極和植入電極的組合記錄腦表面和腦皮層??蓪⒍毯烷L(cháng)電極混合在一個(gè)陣列中,以記錄并刺激高達10毫米深的腦組織結構。

    上圖:配置有不同電極長(cháng)度的單個(gè)Matrix Array™,對大腦中不同區域進(jìn)行定位。

     

    規格:

    通道數64, 128, 256
    X 軸跨度Up to 1.8 mm
    Y 軸跨度0.6 mm - 3 mm
    Z 軸跨度Up to 15 mm
    電極間距(見(jiàn)Y軸跨度)200 μm, 300 μm, 600 μm,800 μm, 1000 μm (訂購時(shí)注明)
    線(xiàn)纜長(cháng)度30 mm(定制)
    電極位點(diǎn)的金屬材質(zhì)
    電極厚度50 μm
    提供的Packages大型動(dòng)物慢性,
    小型動(dòng)物慢性,
    Smart, MRI, Acute

     

    6. Qtrode: 4 通道電極

    4通道電極有精確的,易于重復使用的幾何形狀。
    Qtrode是一種4通道電極,適用于較低通道數或替代使用導線(xiàn)記錄的急性和慢性實(shí)驗。Qtrodes的技術(shù)與標準電極相同,可快速交貨。
    Qtrodes可以達到10mm深的腦區,線(xiàn)性位置布局可以跨越150μm, 300μm或600μm的深度。適配器可與常用的Headstage接口連接。 Qtrode也可以配合微型驅動(dòng)器的長(cháng)期使用(dDrive或oDrive)。

    上圖:電極接口板(EIB)允許將多個(gè)Qtrodes植入同一只動(dòng)物。它與QIB板(未示出)連接,通過(guò)單個(gè)16通道Omnetics接口的Headstage連接。

    規格:

    電極位點(diǎn)的
    金屬材質(zhì)
    銥 (標準)
    電極厚度15 μm or 50 μm
    (不同的設計)
    電極長(cháng)度3, 5, 10 mm
    (不同的設計)
    位點(diǎn)布局Linear 或 Tetrode
    通道數4
    分裝方式急性,慢性(CQ4)
    慢性混合(HQ4)
    光纖,EIB / QIB

     

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